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不看这4个数你买内存就亏了:内存时序了解下

  那些事,平常我们在购买内存时,每一款内存的外包装盒上都会标明,那么这四组数字到底是什么意思呢?

  内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。

  它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,列如上图的16-18-18-36。

  第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。

  这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更快的性能,所以也就是越小越好啦,通常以纳秒(ns)为单位。

  在这四组数字之中,CL对内存性能的影响是最明显的,所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上,一般DDR4内存的第一项数值在15左右浮动。

  但是DDR3内存的数值在5到11之间,而且后面三组数值也比DDR4内存要小,也就是说在相同的频率下,DDR3内存是要比DDR4更快的(笔者并不是否定DDR4)。

  所以中低端产品一般时序较高,中高端产品则会较低一些,当然在选购内存时,并不是为时序至上哦,品牌也很重要。

  关于时序,在进行内存超频时也可以通过手动超频来降低时序,不少厂家也会推出超频版本供发烧友选择。

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